本征及In掺杂ZnO纳米结构的光电性能与应用济南大学硕士学位论文摘要 ZnO是第三代新型半导体材料,一种新型的II.VI族直接带隙半导体材料,因其特殊的光电特性而被誉为第三
ZnO本征缺陷的第一性原理计算_word文档在线
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ZnO本征半导体的点缺陷机制分析.pdf
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ZnO本征缺陷的第一性原理计算资料.doc 10页
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ZnO和ZnS本征点缺陷的理论研究
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近期,林丽梅、刘金养等的ZnO纳米结构中本征
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为什么连续谱本征值相应的本征函数应该归一化
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为什么连续谱本征值相应的本征函数应该归一化
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02半导及其本征特征2.ppt
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ZnO薄膜的p型掺杂难度
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zno的本征缺陷
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3.4.1连续谱本征函数是不能归一化的.ppt
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