第十一章掺杂概述导电区和N-P结是晶圆内部或表面形成的半导体器件的基本组成部分。他们是通过扩散或离子注入技术在晶圆中形成的。本章将具体介绍N-P结的定义扩散与
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2015第12课-第10章 半导体超晶格和多量子阱
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