从而可溶于显影液中;(5)对所述半导体晶片上的光刻胶层进行曝光后烘烤(Post DevelopBake, PEB),通过曝光后烘烤,消除曝光时的驻波效应,改善形成的光刻胶图案的侧壁轮廓;(
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