以下是简化的N阱CMOS八版工艺流程:第一版:N阱掩膜;第二版:薄氧化区版;第三版:多晶 漏掺杂离子的掩膜(离子实际上被多晶硅栅阻挡,不会进入栅下的硅表面,这称为硅栅自对
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例PPT_wor
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