采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻, 结果显示基体电阻率越高, 扩散后的方阻越 扩散的磷总浓度越低,相应的方块方阻越高。 因此,表面浓度和结深与基体电阻率呈反比
高温低温变温四探针薄膜方块电阻测量系统\/,高
300x225 - 8KB - JPEG
方块电阻测试要领.ppt
1152x864 - 36KB - PNG
对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响,采
141x200 - 16KB - PNG
对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响,采
794x1123 - 64KB - PNG
扩散后少子寿命和方块电阻检测设备_其他太阳
501x494 - 26KB - JPEG
对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响,采
893x1518 - 58KB - PNG
摘要:本文研究了单硅片不同的基体电阻率,对扩
993x1404 - 107KB - PNG
浙江扩散层和离子注入层的方块电阻仪
178x200 - 5KB - JPEG
浙江扩散层和离子注入层的方块电阻仪_其他实
450x450 - 33KB - JPEG
高温四探针方阻测量系统-薄膜方块电阻测量系
334x357 - 9KB - JPEG
扩散工艺.doc下载-支持高清免费浏览-max文档
993x1404 - 96KB - PNG
晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究 - 电池管
521x276 - 42KB - JPEG
陶龙忠快速扩散与丝网印刷制备多晶硅太阳电池
960x720 - 42KB - JPEG
硅太阳能电池的设计.ppt全文-毕业论文-在线文
1152x864 - 30KB - PNG
晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究
574x304 - 86KB - JPEG