全新原装德国Silicon sensor高速高增益APD雪
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IC型号S8890,【光电二极管硅APDS8890系列
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高速高增益型 雪崩光电二极管AD500-8价格信
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【FIRST SENSOR高速\/高增益硅雪崩光电二极
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光电转换电路的设计与优化
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从RS在线网上购买光电二极管 光电二极管,硅,
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DTS专用高增益型InGaAs雪崩光电二极管-InGa
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光电二极管原理及前置放大器电路-电源技术
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TIL102 (TI [砷化镓二极管红外光源的光耦合到高
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光电二极管原理及前置放大器电路 - 技术解析
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数据表2000年8月2611A的宽带光电二极管模块
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低噪声InGaAs%2fInP雪崩光电二极管及暗电流
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光电探测器的功能及雪崩光电二极管的应用特性
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B,【数据表2000年8月2609B宽带光电二极管模
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B,【数据表2000年8月2609B宽带光电二极管模
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光电二极管(Photo-Diode)和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但
不同材料的photo diode 有不同响应度,参数M是增益,多见于APD参数表中。g
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雪崩光电二极管(APD)(又称 累崩光电二极管 或 崩溃光二极体)是一种 半导体由于APD的增益与反向偏置和温度的
这个电压称为击穿电压U 光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系雪崩光电二极管的电流增益用倍增系数或雪崩
但是,光电二极管需要外部放大器,而光电晶体管本身即具备对应用而言足够的电流增益。另外,光电二极管的
雪崩光电二极管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向
这是光电二极管的响应度:意思是每瓦(W)的光通过光电二极管产生多少安的电流(A) 不同材料的photo diode 有
光电二极管频谱响应度 参数M的意义 光电二极管频谱响应度 参数M的意义不同材料的photo diode 有不同响应度,