单光子雪崩二极管【相关词_ 单光子雪崩二极管spad】

摘要:基于0.18 μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950 nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P+/N阱结构,P+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效

InGaAs 单光子雪崩光电二极管

300x300 - 8KB - JPEG

InGaAs 单光子雪崩光电二极管

600x306 - 48KB - JPEG

面向三维成像的单光子雪崩二极管及像素电路的

800x1131 - 92KB - PNG

单光子雪崩二极管探测系统测试与设计分析

951x1776 - 368KB - PNG

硅雪崩光电二极管单光子探测器

692x694 - 4KB - PNG

单光子雪崩二极管(SPAD)的工作方式及其猝熄

496x312 - 70KB - PNG

2003_传感器世界 , Sensor World,_张鹏飞_单光

435x216 - 8KB - JPEG

全集成高密度单光子雪崩二极管阵列探测器研究

800x1131 - 149KB - PNG

单光子探测器_单光子探测器 单光子探测器 ing

400x300 - 24KB - JPEG

单光子雪崩二极管探测系统测试与设计分析

1000x1219 - 223KB - PNG

InGaAs 单光子雪崩光电二极管

600x306 - 41KB - JPEG

雪崩光电二极管APD的特性与单光子探测研究

800x1168 - 41KB - PNG

数字采样示波器的InGaAsP单光子雪崩二极管的

268x392 - 23KB - JPEG

单光子雪崩二极管猝熄电路的发展-电子电路图

343x146 - 12KB - JPEG

基于InGaAs%2fInP雪崩二极管的单光子探测关

800x1131 - 128KB - PNG