【摘要】:制作了离子注入MOS晶体管,测量了诸如阈值电压、有效迁移率等电学性质。发现在注入硼离子(~(11)B~+)的p型沟道的情况下,阈值电压V_T随注入剂量的变化呈线性
第七章 MOS场效应晶体管的性质PPT_word文
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