本节主要内容:4.3.1功函数4.3.2接触电势差接触电势:两块不同的金属A和相接触或用导线连接起来两块金属就会彼此带电产生不同的电势VA和VB这称为接触电势。+++---+++--
在MIS结构中,当金属的功函数比半导体的功函数
438x431 - 38KB - JPEG
4.3功函数和接触电势差 固体物理课件.ppt全文
1152x864 - 119KB - PNG
06_02功函数和接触势差.ppt 全文免费在线看-免
1152x864 - 291KB - PNG
功函数及接触电势差.ppt
1152x864 - 119KB - PNG
功函数及接触电势差.ppt
141x200 - 4KB - JPEG
自由电子气的能量状态电子气热容量功函数和接
142x200 - 18KB - JPEG
科学网-功函数的基本概念
571x346 - 23KB - JPEG
第六章mos场效应晶体管12.ppt
1152x864 - 163KB - PNG
第七章-半导体表面与MIS结构-朱俊 09.pdf
800x600 - 133KB - PNG
MOSFET基础结构-CV特性.pdf
800x600 - 33KB - PNG
第章 第讲 MOS的阈值电压和电流
1152x864 - 1368KB - PNG
晶体管原理(4-2)分析.ppt
960x720 - 78KB - JPEG
半导体课件第六讲.ppt
1152x864 - 468KB - PNG
功函数和接触电势差
109x154 - 8KB - JPEG
晶体管原理-C32选编.ppt
141x200 - 2KB - JPEG