半导体材料生长方法【相关词_ 半导体材料的制备方法】

2 高 Al组分 AlGaN/GaN半导体材料的生长方法研究的优化,发现 10nm的周期为Mg:AlGaN/GaN超晶格结构 p型掺杂的最佳厚度值,得到了 p型材料电阻率仅为 0.034Ω•cm,p型载

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高Al组分AlGaN%2fGaN半导体材料地生长方法

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