是啊,indirect band gap的材料要经过一个声子的过程,一般的间接带隙材料发光较弱(理论上是这样的 ) (可上传附件) 最具人气热帖推荐 [查看全部]作者 回/看 最后发表 小木虫,学
光电子材料与应用难题整理
892x839 - 553KB - PNG
利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和
320x487 - 22KB - JPEG
声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器
300x456 - 17KB - JPEG
带隙发光.ppt
1152x864 - 41KB - PNG
硅量子点可以成为直接带隙发光的研究结论被推
500x298 - 121KB - PNG
固体发光
300x244 - 8KB - JPEG
LED发光二极管的发光机理详细图解
485x252 - 44KB - JPEG
我国半导体激光器研究获进展 成果发布引关注
471x284 - 18KB - JPEG
纳米sic膜的发光与多孔sio ,2 :f薄膜介电特性研
800x1168 - 330KB - PNG
贴片发光二极管规格 - 家居装修资讯网
434x400 - 41KB - JPEG
铈掺杂多孔硅的形貌和光致发光研究-凝聚态物
800x1168 - 310KB - PNG
硅基硅碳氧薄膜发光材料的制备与特性研讨.pd
800x1168 - 42KB - PNG
光发射器件能带结构
350x453 - 19KB - GIF
半导体所在硅量子点发光机制研究取得重要成果
1692x993 - 270KB - PNG
一文读懂半导体的历史、应用、未来
401x240 - 18KB - JPEG