高温热解碳化硅外延石墨烯由于无需衬底转移且与现有的半导体工艺兼容等优势,被认为 分析了石墨烯在碳化硅两种极面的生长机理及外延生长石墨烯的不同工艺条件。本文基
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20171024_调整石墨烯间的楚河汉界,你只需
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维材料系列研究取得新进展:预言单层蓝磷半层
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