新实验展示了一种宽禁带半导体材料氧化镓(Ga2O3)被设计到一种纳米结构中,从而使得 Ga2O3 在众多的宽禁带半导体器件中也显得很独特,它可以直接通过熔融形式来制造,从
新一代功率半导体氧化镓,开始提供外延晶圆_中
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新一代功率半导体氧化镓:提供外延晶圆 - 资讯
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