摘要:氧化铟镓锌IGZO是一种新型半导体材料,有着比非晶硅(α-Si)更高的电子迁移率。IGZO用在新一代高性能薄膜晶体管(TFT)中作为沟道材料,从而提高显示面板分辨率。高性
艺将使用量子井场效电晶体及新型半导体材料
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Intel 10nm工艺将使用量子井场效电晶体及新型半导体材料
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真空互联技术可实现新型半导体材料和器件创新
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超宽禁带半导体及其他新型半导体材料发展动向
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新型镓熔点装置复现性及稳定性研讨.pdf
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【led三面翻|北京鼎立盛世|led三面翻批发】价格
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