在现已开发的宽禁带半导体中,碳化硅(SiC)半导体材料是研究最为成熟的一种。SiC半导体材料由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率以及更小的体积等
半导体材料(图)硅
640x480 - 37KB - JPEG
山东天岳:半导体碳化硅应用实现节能重大突破
350x219 - 28KB - JPEG
棕黄色30纳米硅粉,纳米硅半导体发光材料图片
600x600 - 27KB - JPEG
-日本教授发现可用沙子制造太阳能电池用硅材料
550x328 - 224KB - PNG
韩国研发出比硅强百倍的半导体新材料-悠牛网
374x272 - 45KB - JPEG
半导体硅材料图片_半导体硅材料高清大图-半导
300x225 - 15KB - JPEG
石墨烯将替代硅成为未来半导体主要材料 - 302
550x412 - 39KB - JPEG
意法半导体发布碳化硅太阳能解决方案-材料人
395x259 - 46KB - JPEG
以碳化硅为核心的宽禁带半导体材料将成为电子
588x350 - 23KB - JPEG
半导体材料-供应:高纯度硅料,P型硅料,N型硅料
416x371 - 46KB - JPEG
碳化硅是国际上最先进是第三代新型半导体材料
623x631 - 60KB - JPEG
棕黄色30纳米硅粉,纳米硅半导体发光材料 图片
600x600 - 66KB - JPEG
山东天岳:半导体碳化硅应用实现节能重大突破
350x236 - 30KB - JPEG
半导体材料-【批量供应】提供多硅晶片 免洗硅
1024x768 - 232KB - JPEG
山东天岳:半导体碳化硅应用实现节能重大突破
350x235 - 49KB - JPEG