在现已开发的宽禁带半导体中,碳化硅(SiC)半导体材料是研究最为成熟的一种。SiC半导体材料由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率以及更小的体积等
SiC功率半导体将形成市场– 中国制造网商业资
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