【摘要】:本文首次报道了利用ER谱研究重掺杂对半导体Si能带结构的影响.发现L点附近 1 张国莲;王培吉;张昌文;;Sn_(1-x)N_xO_2材料的电子结构和光学性质[J];济南大学学报(
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