一、引言窄禁带半导体的 窄 字并没有明确规定的界限.有人把它规定为室温热能的十倍,即0.26 eV.也有人把它规定为 0.5eV.不管是哪一种规定,都把硫化铅、硒化铅和碲化铅包
禁带宽度窄的半导体材料为什么不能做太阳能电
313x287 - 139KB - PNG
2010半导体物理期中试题解答.ppt
1536x864 - 155KB - PNG
半导体物理学例题2011.pdf
800x600 - 148KB - PNG
半导体课后习题.doc
993x1404 - 89KB - PNG
半导体物理(刘恩科)--详细习题解试题.doc
794x1123 - 42KB - PNG
半导体物理刘恩科详细习题解-word文档下载和
141x200 - 11KB - PNG
开题答辩TiO光敏剂的制备以及光催化性能的研
1152x864 - 1337KB - PNG
浅谈紫外LED(UV-LED) 的发展与用途_新闻资
498x346 - 35KB - JPEG
半导体物理总复习探析.ppt
1152x864 - 35KB - PNG
多孔硅的表面活性剂修饰及多孔硅光谱温度效应
800x1178 - 323KB - PNG
铈掺杂多孔硅的形貌和光致发光研究-凝聚态物
800x1168 - 310KB - PNG
半导体为啥是半?-凯风百科-凯风网手机版
378x220 - 22KB - JPEG
光电检测技术考点整理资料.doc
993x1404 - 77KB - PNG
掺杂对多孔硅及氧化锌光学特性的影响研究.pd
800x1131 - 37KB - PNG
硒化铅薄膜与量子点的制备和表征.pdf文档全文
800x1132 - 239KB - PNG