半导体禁带隙【相关词_ 直接带隙半导体】

同logσ-1/T曲线给出的结果一致。光致发光的实验结果表明,即使样品电导率大于10S·cm~(-1),也未形成窄带隙半导体材料,并得出聚并苯半导体材料的禁带宽具有2.20eV量级

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