发展了一种制造具有镀铜热沉的超薄硅晶体管的新工艺方法。该工艺用铜取代了热通路上硅收集极的大部分,因此把热阻减少了50%。12~13微米厚的硅晶体管芯片按常规方法
硅微波晶体管基于加速寿命试验的快速老炼方法
800x1131 - 91KB - PNG
非晶硅薄膜晶体管有机发光显示模块的研制研究
800x1131 - 36KB - PNG
反向开关晶体管RSD硅基结构优化与碳化硅基
800x1131 - 129KB - PNG
纳米硅薄膜晶体管压力传感器制作及特性研究.
800x1168 - 102KB - PNG
5GHz硅双极晶体管的研制研究.pdf
800x1168 - 40KB - PNG
非晶氧化物薄膜晶体管金属电极的研究论文.pd
800x1131 - 161KB - PNG
31~34GHz45W硅微波脉冲功率晶体管的研制研
800x1168 - 45KB - PNG
碳纳米晶体管首次超越硅晶体管在性能上
320x220 - 10KB - JPEG
碳纳米管在相同尺寸上的性能超过硅晶体管_科
600x450 - 51KB - JPEG
ZnO薄膜论文-氧化锌基薄膜晶体管磁控溅射法
993x1404 - 97KB - PNG
非晶硅薄膜晶体管在栅漏电应力下的退化研讨.
800x1262 - 96KB - PNG
世纪的硅微电子学的论文(范本).doc
993x1404 - 117KB - PNG
4H碳化硅射频功率金属半导体场效应晶体管的
800x1134 - 20KB - PNG
锗硅异质结晶体管及其微波低噪声放大器技术研
800x1131 - 5KB - PNG
微流道场效应晶体管硅纳米线生物传感器对CE
800x1168 - 121KB - PNG