p型半导体MIS结构的理想C-V特性如下图,说明每一段的物理过程(I、II、IIIA、IIIB、IIIC) 。 参考答案对p型半导体的MIS结构。 I、负偏压下,p型半导体界面是积累层,电容不随电压
第七章 半导体表面与MIS结构.doc
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第七章-半导体表面与MIS结构-朱俊 09.pdf
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p型半导体MIS结构的理想C-V特性如下图,说明
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