砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多,因此采用特殊的工艺,早期为MESFET金属半导体场效应晶体管,后演变为HEMT(高速电子迁移率晶体管),pHEMT(介面应变式高电子迁移电
【资讯】常见的四大类半导体工艺材料解析
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