研究了漂移区注入剂量、高压场板长度、场氧化层厚度、栅氧化层厚度、沟道区注入剂量等五个结构工艺参数对漏电容非线性的影响。主要分析了漂移区耗尽层对漏电容非线
IGBT是什么,IGBT工作原理,IGBT的特性是什么
627x349 - 22KB - JPEG
【壁纸】阈值电压漂移|ps阈值|阈值电压
215x224 - 12KB - JPEG
TRIPLE RESURF结构的LDMOS器件设计-电子
817x279 - 32KB - JPEG
功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟 - 模拟
409x203 - 28KB - JPEG
太阳能电池光电转换原理及技术改进详解
500x345 - 49KB - JPEG
《全民漂移》极限氮气视频介绍:根本停不下来
600x320 - 123KB - JPEG
二极管PN结及其单向导电工作原理图文详解
500x254 - 37KB - JPEG
《全民漂移hotrace》极限氮气:根本停不下来_
550x293 - 34KB - JPEG
16款雪佛兰科迈罗 36万订大黄蜂极速漂移_科
600x450 - 111KB - JPEG
电工电子-9剖析.ppt
141x200 - 5KB - JPEG
功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟
400x175 - 64KB - JPEG
汽车漂移训练场_浙江
400x225 - 18KB - JPEG
南海救198轮救助燃油耗尽机帆船13人脱险-救
3296x2472 - 1047KB - JPEG
中国耐心耗尽!对日本下重手:安倍输光_网上谈
680x511 - 351KB - PNG
南海救198轮救助燃油耗尽机帆船13人脱险(图
3296x2472 - 1047KB - JPEG