对应变量子阱激光器的结构进行了优化设计,对半导体激光器的阱层、垒层、波导层和限制层的厚度及In、Al元素的含量迸行了研究和设计。研究了影响MBE生长GaAs、A1Ga
Nanoplus发布高性能单模DFB半导体激光器-电
525x567 - 55KB - JPEG
在半导体激光器测试中B2900A的应用
389x273 - 23KB - JPEG
微光学元件及光纤耦合半导体激光器-网络方案
530x1018 - 80KB - JPEG
半导体激光器价格_半导体激光器原理_半导体
660x435 - 50KB - JPEG
半导体激光器供应图片|半导体激光器供应样板
800x600 - 137KB - JPEG
高频率半导体激光器
800x600 - 33KB - JPEG
半导体激光器阈值电流一定比工作电流低吗?为
500x312 - 63KB - PNG
供应半导体激光器
321x227 - 14KB - JPEG
MBE生长940nm半导体激光器研究-光学工程专
800x1134 - 120KB - PNG
顾电高功率半导体激光器532nm
1014x1024 - 172KB - JPEG
半导体二极管激光器工作原理示意图
400x232 - 15KB - JPEG
MBE生长940nm应变量子阱半导体激光器研究
141x200 - 16KB - PNG
半导体所制备成功太赫兹量子级联激光器和红外
865x608 - 57KB - JPEG
半导体激光器原理
785x378 - 19KB - JPEG
GaAs基近红外半导体激光器的设计、生长和制
800x1095 - 1371KB - PNG