纳米材料宽禁带【相关词_ 宽禁带半导体材料】

从XRD和拉曼谱图可以得出,控制第二步的反应时间可以得到硫掺杂的ZnO和氧被大部分取代的ZnS纳米材料,并给出了这种转变的生长机制。光学研究发现ZnS发光主要是由于缺

宽禁带半导体材料和纳米材料低温光学性质研究

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宽禁带纳米半导体材料制备及其光学性能研讨.

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宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议在

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苏州工业园区新闻中心 - 第一届全国宽禁带半导

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第10届新型金刚石与纳米碳材料国际会议在西

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材料最前沿:超宽禁带半导体材料、丝蛋白材料

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宽禁带半导体材料制造项目建议书.doc

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SHMFF用户《材料地平线》发文报道磁性离子

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纳米GaP半导体材料的光学与光催化性质.pdf

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低维Ga2O3纳米材料的可控合成、掺杂与发光

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