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几天前，国兴光电宣布，其全资子公司佛山国兴半导体科技有限公司(以下简称“国兴半导体”)已获得国家知识产权局颁发的三项发明专利证书。
公告显示，三项发明的专利证书分别为:垂直结构发光二极管芯片的制造方法、去除DBR膜层的制造方法、高亮度发光二极管芯片及其制造方法。专利期限都是20年
来源:公司公告
国兴光电气表示，上述发明专利的获得不会对公司和国兴半导体近期的生产经营产生重大影响，但将有助于国兴半导体进一步完善其知识产权保护体系，形成持续创新机制，增强其核心竞争力。
