三星EUV极紫外光刻工厂批量生产:7/6/5/4/3纳米

三星宣布，位于韩国京畿道的V1工厂已经开始批量生产7纳米7LPP和6纳米6LPP工艺，这也是世界上第一代专门为EUV极紫外光刻工艺建造的工厂。

据说三星的7LPP和6LPP工艺主要生产先进的移动SoC芯片，将在本季度陆续发货。没有具体的客户被披露。然而，7LPP似乎将是主要的外国原始设备制造商，而6LPP可能是三星自己使用或只为特定的客户。

据三星称，与7LPP相比，6LPP可将晶体管密度提高约10%，并降低功耗，但它们彼此兼容。为7LPP工艺设计的IP可以直接复用，从而大大降低成本。

在路线图上，三星还计划了更先进的工艺，如5LPE、4LPE、3GAE和3GAP，所有这些都将使用EUV极紫外光刻技术。其中，5纳米和4纳米可视为7纳米工艺的深度升级，3纳米是一种新的设计。

高通公司刚刚发布了第三代5G基带小龙X60，它是由三星的5纳米工艺制造的。3nm的开发将于今年完成，放弃已使用多年的FinFET晶体管架构。三星V1

工厂将于2018年2月开工建设，并将于2019年下半年开始试生产。它将在未来迅速扩大生产能力。到今年年底，EUV 7LPP和更新技术的总生产能力将是去年年底的三倍，累计投资60亿美元。