cmwap和cmnet的区别_小科普｜FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的区别

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FET，场效应晶体管，场效应晶体管，简单的理解就是水管阀门

关闭

打开

FET，源极是从源极流向场效应晶体管的电子流；

门，是一个门，阀门，打开场效应晶体管，电子流，关闭阀门，电子流不出来

漏极，电子流出场效应晶体管；；

个电子带负电荷，因此它们是从GND流向Vcc的

MOSFET。Y2T149把金属氧化物半导体说成是电容器。场效应晶体管被称为金属氧化物半导体场效应晶体管

是数字半导体芯片的常见结构:

金属半导体场效应晶体管

晶体管，用于第一代模拟或射频电路。

场效应晶体管调制掺杂场效应晶体管，MODFET

场效应晶体管，与MODFET/MESFET的最大区别是对栅极的控制。

金属氧化物半导体场效应晶体管是一种金属氧化物半导体(电容器)栅极。

金属氧化物半导体场效应晶体管/金属氧化物半导体场效应晶体管使用金属半导体触点(肖特基二极管)和二极管作为栅极它比金属氧化物半导体快，可用于高速电路。

MOS相当于塑料阀头，MES/MOD是铜阀头

MESFET和MODFET

MODD之间的差异是异质结，形成一个二维层，称为二维电子气(2deg)，指的是电子气可以在二维方向自由移动，但在三维方向受到限制的现象

摘要:

场效应管是水管子阀

场效应管是塑料阀

场效应管是铜阀

场效应管不仅是铜阀。陶瓷阀芯

金属氧化物半导体场效应晶体管截止频率比金属氧化物半导体场效应晶体管

金属氧化物半导体场效应晶体管截止频率高三倍，比金属氧化物半导体场效应晶体管

截止频率高30%在低泄漏偏压下存在线性区域当偏置电压变大时，输出电流最终达到饱和。当电压足够高时，在漏极端会发生雪崩击穿。根据正阈值电压或负阈值电压，场效应晶体管可分为增强型(常关模式)或耗尽型(常开模式)金属？半导体接触是半导体场效应晶体管和半导体场效应晶体管器件的基本结构肖特基势垒用作栅极，两个欧姆接触用作源极和漏极

金属氧化物半导体场效应晶体管器件具有更好的高频性能除了栅极下的异质结之外，器件结构基本上类似于MESFET。在异质结界面上形成二维电子气体(即导电沟道)，具有高迁移率和高平均漂移速度的电子可以通过沟道从源极漂移到漏极。截止频率为

的fT是场效应晶体管的高频指数在给定的长度下，硅金属氧化物半导体场效应晶体管(n型)的自由程是最低的，而GaAs金属氧化物半导体场效应晶体管的自由程大约是硅的三倍。普通GaAs场效应晶体管和赝晶硅锗场效应晶体管的场效应晶体管比GaAs场效应晶体管高30%左右