兆易创新非公开_兆易创新即将流片DRAM，本土内存突破点愈加清晰

原题:兆易革新即将流向DRAM，本土内存的突破点越来越清晰

今年9月，兆易创新在公告中宣布增加43亿元，规划DRAM芯片的自我研究和产业化项目。 10月1日，该公司发布了非公开发行a股股份的预案公告，公布了将扣除发行费用的资金净额用于DRAM芯片的研究开发和产业化项目，补充流动资金。

其中，DRAM芯片的研发和产业化项目预计投资39.92亿元，募集资金预计投入33.24亿元。 兆易创新计划通过该项目开发1X-nm工艺的DRAM，具体包括DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列的DRAM芯片。 从整个行业来看，经历了长期的竞争交替和路线选择后，DRAM技术稳定在基于DDR的发展路线上。 从DDR到DDR2、DDR3，目前市场上流行的DRAM规格为DDR4/LPDDR4。 根据IDC的统计，按发货量分配的话，DDR4的比率达到42%，接近DDR3的比率( 47% )。

根据兆易创新，在此次非公开发行完成、资金投资项目实施后，将进一步完善内存领域的产品结构，并根据NOR Flash、NAND Flash进入DRAM内存芯片。 项目完成后，兆易创新掌握DRAM技术，具备DRAM产品的设计能力。

事实上，2017年10月，兆易创新宣布与合肥市产业投资控股公司(集团)有限公司合作，开展19nm的12英寸存储晶片(包括DRAM )研发项目。 预算约为180亿元人民币。

根据能力承诺，该项目的研发和生产出的DRAM芯片，为了满足该客户的需求，优先提供创新销售的该项目，优先接受先兆创新的DRAM代理需求，为该产品的流式传输、生产提供支持。

最近几天，兆易创新揭示了该项目的具体计划: DRAM的第一个芯片2021年完成了客户验证，到2025年实现了批量生产。

嵌入式DRAM播放器福音

目前，在中国大陆，许多IC设计公司都侧重于开发小容量flash (包括NAND和NOR )，主要面临嵌入式系统的应用，同时有些制造商还制作了小容量DRAM，主要面临嵌入式系统的应用。 与其他几家国际存储器巨头(三星、SK海克力士、美光等)不同，三星、SK海克力士、美光以大容量DRAM的设计和生产为主，面临的市场主要是智能手机、数据中心、云计算等。

兆易创新是大陆地区内存芯片的代表性企业，该公司除了生产NOR Flash芯片之外，还开发了NAND Flash，以同样的低容量产品为主(1Gb、2Gb )，主要面临嵌入式应用市场。 与此同时，该公司Flash芯片下游的顾客与DRAM的一致度高，NAND Flash与NOR Flash不同，NOR具有执行速度快，可以当场执行的特征，通常不需要DRAM，但NAND必须与DRAM并用。 因此，进军DRAM事业也是合理的选择。 该公司的DRAM和合肥长鑫的定位不同，两家不对立。 为了兆易的DRAM业务，主要以嵌入式应用程序市场为对象。

在嵌入式市场中，如果操作系统(例如安卓4.0 )不适合NOR FLASH，则必须使用SLC NAND。 SLC NAND在发出代码时，需要执行DRAM，这里一般是小容量的DRAM。

未来的智能发展，操作系统越来越大，加入代码的空间也必须尽量大。 这需要更多的NAND Flash，并相应地增加了对DRAM的需求。

此外，随着物联网应用程序的落地，特别是在边缘，对性价比的要求日益增加，需要适当的NAND和适当的DRAM，在必须在充分确保容量的同时尽可能降低成本的情况下，需要适当的中低容量嵌入式DRAM 因此，物联网的兴起也为嵌入式DRAM的发展提供了广阔的应用空间。

目前，世界DRAM芯片市场基本上被三星、SK海格力斯、美光等巨头所垄断。 除了资金和技术限制外，起步晚，中国大陆地区DRAM企业数量少，且多企业规模小，产品相对落后。

但同时，存储是一个大市场，没有一家企业可以垄断，特别是随着物联网的兴起和智能终端的快速发展，对中小容量存储芯片的需求不断扩大。 其中DRAM起着越来越重要的作用。 业界结构的演变和存储大型企业集中于大容量市场，客观转让中小容量DRAM芯片市场，为相应企业的发展提供了良好的机会。

目前，出货量大的中小容量DRAM厂商集中在中国台湾地区，主要包括南亚科技、力晶和华邦电。

突破的机会

内存特别是DRAM技术和专利壁垒很大，这也是多年来困扰中国大陆内存芯片产业发展的主要原因，但这也不牢固。 之后厂家能找到合适的技术合作伙伴，适时定位市场，加上资金保障，还能开拓我们自身所属的DRAM世界。

开拓中小容量的DRAM市场是个好选择。 首先，如前所述，有市场发展潜力。 其次，避免和三星、美光等大公司的正面交战，关注国际大公司放弃的市场，可以实现差异化竞争。 该市场规模在100亿美元左右，估计其中70%在中国。 这样，我们的国内企业更接近市场，这是先天的优势。

这是国内所有存储芯片公司的一个非常好的起点。 目前，中低容量的DRAM芯片主要集中在DDR3上。

对于国内的存储芯片制造商来说，看待市场机遇当然很重要，但最重要的是练习自己的内功，在提高产品性价比的同时，在生态系统的建设上多下功夫，找到自己的位置。

市场前景

在现在的DRAM市场上，三星、美光、SK海格力士从20nm进入1Z-nm，台湾地区的制造商除南亚科外，主要采用38nm的程序。 过程推进的延迟和记忆密度的增加直接降低了DRAM综合比特供给的增长率。

从产量方面来看，世界DRAM的产能和切片量从2013~2017年供应方来看是产能平台期，整体产能稳定，20nm工艺逐渐提高。 DRAM的价格在这个时期之前下降，主要是通过提高消化前的工艺来释放生产能力。

到了2018年，三星和SK海格力斯都小幅度扩大，迅速填补了市场需求的缺口，世界DRAM产业逐渐进入下行周期，到2019年下半年为止都处于降价状态。 但是到了年底，DRAM的价格逐渐稳定下来，从现在的情况来看，很多机构预计2020年上半年世界DRAM市场将全面恢复，价格将会下跌。

2020年以来，5G、AI和物联网的普及和应用成为拉动半导体产业复苏的重要力量，其中确定了DRAM市场整体向上的趋势。

汛船偏高，在这样大的背景下，小容量DRAM具有更好的发展空间和势头，这为中国大陆的DRAM企业实现增加了平衡。