兆易创新非公开_兆易创新发力首款 DRAM 芯片，2021 年完成验证

兆易创新科技股份有限公司发布了非公开发行a股的预案，公司计划用于特定投资者10人以下的非公开发行股票64、224、315股(含股数)、募集资金总额(含发行费用)不超过人民币432、402.36万元的DRAM芯片的研发、产业化和流动资金的补充。

根据兆易创新，公司计划通过该项目，在1Xnm级( 19nm、17nm )的工艺中开发DRAM技术，设计开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。 该项目的成功实施有助于公司丰富自己的产品线，有效整合产业资源，加强和提高公司的市场地位和综合竞争力。

最近，兆易创新通过对本次非公开发行的a股申请文件的反馈意见的回答，揭示了具体计划，并于兆易创新DRAM芯片2021年完成客户验证，最迟将于2025年批量生产。

首次定义DRAM芯片产品包括市场定位、产品规格设置、芯片设计工作，芯片设计包括仿真验证、逻辑集成、时序分析、功能验证、信号与频率布线、布局物理验证等，每个步骤都能使设计的产品实现最佳性能。 定义第一个芯片的生产流程，确保该芯片适用于市场上的所有系统平台，将已验证的设计展开为流程样本，重复测试和修改，直到样本设计符合设计标准并通过系统验证

对最初的芯片样品片进行封装测试，然后对系统芯片厂商进行功能性认证，认证完成后对客户进行系统级别的验证，包括功能测试、压力测试、打火机验证等在内，所有的验证都完成客户的验证，验证完成后进行少量生产并实施

根据兆易创新，自2008年NOR Flash首次在线以来，公司根据客户的需求和市场前景，开发了多种NOR Flash产品并使其在线，陆续推出NAND Flash、MCU系列产品，受到客户的高度评价。

DRAM和Flash是同一个存储器芯片，其技术原理都是通过存储器单元在阵列上堆积而形成的，在设计过程、设计方法、使用工具、模块划分等方面相同或者高度类似，在产品设计中有一定的共通性。 由于magentation公司的Flash芯片下游客户与DRAM芯片下游客户之间的一致性很高，而且大多数客户应用程序的系统体系结构都包括Flash和DRAM，因此公司可以准确地了解Flash领域的客户需求。 存储技术在不同终端领域的应用和将客户需求转化为具体产品的设计经验对DRAM芯片设计具有重要的支持作用，公司可靠的产品设计能力是项目成功的保障。

在专利中，到2019年9月30日为止，兆易创新和控股公司拥有508项国内专利、21项海外专利和16项集成电路的布局设计。 在DRAM技术和研发方面，公司已经组成了数十名老工程师的核心研发团队，复盖了前端设计、后端产品的测试和验证，该团队的核心技术领导人平均从事DRAM芯片行业20多年，具有较强的技术和研发能力。 此外，在公司内存领域拥有技术研发能力和丰富经验的老工程师团队也能有效推进DRAM芯片的研发，公司内存领域的技术和研发能力是招聘项目成功的强有力保障。