大多数当前的设备都使用基于硅的CMOS芯片进行计算,但在照明和通信方面效率低下,并且已经证明会导致性能损失和散热问题。 因此,市场上现在的5G移动设备在使用中变得非常热,是短时间关机后的原因。
在不久的将来,电子设备需要用无线传输数据到控制中心的传感器。 这意味着他们必须组合有小尺寸和具有低操作功率的RF功能。 实现所有这些目标的清洁最理想的方式是创建结合了硅CMOS和III-V器件功能性的单芯片。 这些III-V芯片由元素周期表的第3列和第5列元素,例如氮化镓( GaN )和砷铟镓( InGaAs )构成。 独特的性能特别适合光电( LED )和通信(5G ),提高了整个系统的效率。
芯片和5G网络
5G不仅仅是更快的4G。 运行5G的网络比现有的4G网络快20倍,视频下载速度快10倍。 5G被视为“新”网络,成为管理物理网络( IoT )的基础设施候补。
5G网络提供先进的云应用服务,拥有智能城市,拥有无人驾驶汽车与新型工业平台的智能互联社会。 为了实现所有这些功能,必须构筑必要的IC,但是还需要大量的设计工作和执行的测试和测量。 最具挑战性的障碍是标准的发展、毫米波(毫米波)技术的采用、成本管理。
GaN技术的功率密度已成为行业的转折点,相控阵列的应用和其他领域使用的设备数量也在增加。 最终,这项技术使得消费者市场达到了有吸引力的水平。 这些技术可以将高速转换器和微波组件(包括功率放大器和偏置电路)集成在单个芯片中。