华为_华为麒麟1020新说：5nm成就每平方毫米1.713亿个晶体管

高通骅龙865宣布性能轻松夺取安卓阵营的桂冠，但时间差很好的华下一代麒麟旗舰也开始频繁露出，意外地在明年下半年的Mate 40系列中首次登场。

麒麟990g处理器采用台积电7nm EUV工艺，集成103亿个晶体管，移动SoC首次超过100亿，芯片面积为113.31平方毫米，每平方毫米计算约9090万个晶体管。

华为下一代旗舰SoC称为麒麟1020，称为码头摩尔，据说露出材料与麒麟990相比最多可提高50%。 主要原因是CPU架构已从A76代升级到A78代，并标配有顶级高吞吐量骆龙865、用于联发科天瑶1000的A77和集成的5G基带。

麒麟1020几乎采用台积电5nm工艺，晶体管密度自然大大提高，最新信息显示，每平方毫米可达1.713亿个左右，比麒麟990g增加约90%。

5nm是台积电的另一个重要过程节点，利用第五代FinFET晶体管技术，EUV极紫外光刻技术也扩展到10个以上的光刻层，分为N5、N5P两个版本，前者比n7nm过程性能降低15%，功耗降低30%，后者比前者低

台积电现在试制5nm，测试芯片的平均成品率达到80%，最高可超过90%，预计明年上半年大规模批量生产。