计划_爆料:三星计划使用14nm FinFET工艺打造1.44亿像素传感器

12月16日,三星公司宣布使用14纳米fin fet工艺制造1.44亿像素传感器。

根据露出冰宇宙的图表,手机的CMOS图像传感器的市场动向正在增加,传感器像素从不到1000万像素超过1亿像素。 三星希望通过利用14nm技术超过1亿像素密度并对FinFET过程进行辅助,来有效地降低传感器的功耗。

目前尚未有关三星14纳米fin fet工艺和1.4亿像素传感器的爆炸性信息。

资料来源: IT之家

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