间接带隙硅材料【相关词_间接带隙半导体材料】

2pi)k。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量,还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。

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