掺杂半导体中的掺杂物在常温下完全电离(电离出电子或空穴,依掺杂物种类而异),电离出的载流子远远多于半导体本征电离,于是掺杂半导体便出现两种载流子的严重浓度差异,低
N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是
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N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是
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半导体物理中多子和少子的定义?要求用最
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在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化
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在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化
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半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是
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.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少
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半导体器件少子扩散长度和少子寿命的无损测量
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半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是
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非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面
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半导体温度稳定性差的原因,另外是受多子还是
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JC03-LT-2 单晶少子寿命测试仪 硅单晶非平衡
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