pmos的阈值电压【相关词_pmos管的阈值电压】

利用变分法得到了SiGe源漏PMOS短沟道效应与SiGe源漏中Ge组分的关系,讨论了 Ge组分对器件稳定性的影响。结果表明,应变PMOS的阈值电压随Ge组分的增加而减小,沟道

pmos阈值电压_n2o对阈值电压影响_驱动tft 阈

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