2一个理想的p-n结ND1018cm3NA1016cm3τpτn106s器件的面积为1.2×105cm2计算300K下饱和电流的理论值±0.7V时的正向和反向电流。解Dp9cm2/sDn6cm2/s cmDLp
【课件】半导体物理与器件-(施敏 课后习题答案
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半导体器件物理习题解答答案PPT_word文档在
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第1章 半导体器件习题.ppt全文-建筑规范-在线
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