半导体器件物理mos答案【相关词_半导体器件与物理】

第三部分MOS器件习题解第十五章 15.5 a底部的pn结宽度等于热平衡时的宽度,顶部的宽度大于 abc d顶部pn结的耗尽层宽度底部pn结的耗尽层宽度VGB0,所以又根据(b的结果

西安交通大学 849半导体物理MOS器件2016年

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