二参数说明表一氧化锌半导体材料的性质性质符号氧化锌本征载流子浓度(cm-3) ni 1016杂质电离能(eV) Ed 0.044迁移率电子 [cm2/(v*s)]空穴 Jn Jp 200 5-50禁带宽度 Eg 3.37e
本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然
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算在300K的条件下, GaN 的本征载流子浓度的
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本征载流子_非本征载流子_当温度升高时,本征
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