在硅衬底上制作光电子器件用材料,要首先解决GAsS,IPS异质结材料的晶格a]ia/i失配度大,使生长的外延屠出现多晶'衬底硅与外延层GAsn热膨胀系数不同出现湾a,IP曲,裂纹和生
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