获得最高光电转换效率的采用的是 n型硅衬底 。然而 ,由于电子迁移率要高于空穴迁移率 ,同时结合市场需要 ,国际上众多研究机构还是将研究重点放在 P型衬底的 HIT电池上 。
重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法
300x424 - 14KB - JPEG
P型Si衬底MOs结构的C\/特性-技术资料-51电子
358x249 - 16KB - PNG
MOS晶体管的发展概况及特点
892x558 - 180KB - PNG
在表面改型的p型Si衬底上制备非极性择优取向
800x1168 - 120KB - PNG
nmosfet为什么要用P型衬底? - Phantom 的回答
791x418 - 19KB - PNG
【图】五指示灯报警电路报警控制 电路图 维库
712x452 - 65KB - JPEG
采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜.pd
800x1168 - 375KB - PNG
【2英寸P型砷化镓衬底厚度350um】
249x210 - 6KB - JPEG
【2英寸P型砷化镓衬底厚度350um】
258x218 - 8KB - JPEG
马云的无人超市算什么?刚刚,双流这家超级工
400x226 - 21KB - JPEG
初窥半导体物理:晶体管与CMOS
613x331 - 30KB - PNG
场效应管_场效应管
220x272 - 5KB - JPEG
【6英寸单抛双抛硅片N型P型镀膜外延衬底测试
450x450 - 53KB - JPEG
带5个指示灯的报警原理及电路图
874x521 - 359KB - JPEG
晶体硅太阳能电池的制作过程 太阳能技术
486x296 - 24KB - JPEG