则相邻两行刷新间隔为 2ms/128=15.625微秒,全部存储单元刷新一遍实际时间 0.5 × 128=64微秒。 7.某半导体存储器容量 15KB ,其中固化区 8KB ,可选 EPROM芯片为 4K ×
若存储芯片容量为128K*8位,求:(1)访问该芯片需
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第4章半导体存储器及其扩充综述.ppt 128页
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