碳化硅二极管 压降_碳化硅二极管

对于高压碳化硅肖特基二极管,优化漂移区电阻是减小正向压降的关键。两个重要的参数漂移区掺杂浓度和厚度,决定了器件的阻断能力和比导通电阻。对于这两个参数有一个折

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