外延生长和cvd_外延生长

第27卷增刊2006年12月半导体学报 CHINESE JoURNAL oF SEMICoNDUCToRS V01.27 Supplement Dec.,2006 Sil-x Gex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长*王荣华符凯谢自

石墨烯生长炉 外延生长法制备石墨烯

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超高真空CVD外延生长SiGeC材料及性能研究

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一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结

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i投资8: 新材料的宠儿石墨烯行业:转型成长强国

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硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研

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【全文】超高压4H-SiC pIGBT器件材料CVD外

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