正 马纳塞维特等和腊-乔德休里报导过用甲基-镓化合物和砷烷反应制备砷化镓外延层。然而,这些化合物是极活泼的(三甲基镓在有氧存在的情况下,即使在-76℃也能点燃,其蒸气
砷化镓薄膜外延方法技术资料,砷化镓薄膜的制
300x300 - 15KB - JPEG
重掺砷控制方法工艺资料,重掺砷的制备方法,重
400x400 - 15KB - JPEG
5G和军工双轮驱动化合物半导体业爆发
640x349 - 28KB - JPEG
中国团队率先登顶:实现单光子源三项全能_检
457x287 - 21KB - JPEG
聚乙烯红外光谱图 EVA红外谱图 聚丙烯红外谱
244x197 - 6KB - JPEG
桌面制备氢气装置图,蒸发结晶装置图,溴乙烷的
339x142 - 10KB - JPEG
半导体龙头股票有哪些_半导体龙头概念股一览
630x398 - 45KB - JPEG
潜伏于风口: 2016年MO源产业竞争格局及发展
526x353 - 39KB - JPEG
天宫二号成功升空
140x140 - 1KB - JPEG
GaAs wafer 砷化镓外延片--产品大全--E路网
350x350 - 30KB - JPEG
【GaAs wafer 砷化镓外延片】
279x210 - 10KB - JPEG
砷化镓单晶制备PPT_word文档在线阅读与下载
1080x810 - 82KB - JPEG
GaAs wafer 砷化镓外延片图片,GaAs wafer 砷化
399x300 - 19KB - JPEG
砷化镓外延用晶片,砷化镓片,砷化镓衬底,砷化镓
321x225 - 12KB - JPEG
砷化镓外延衬底市场的兼并和融合-工业电子-E
478x349 - 19KB - JPEG