硅管的伏安特性_硅管的导通电压是多少

V硅管 0.7 V (0.1 0.3) V锗管 0.2 V反向特性 IS U (BR)反向击穿 U(BR) U 0 iD = IS 0.1 A(硅)几十 A (锗) U U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 12硅管的伏安特性锗管的伏安特性

二极管伏安特性曲线说明 - 电子技术 - 电工之家

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