外延生长单晶硅_外延生长

为了形成上述结构可以采用外延生长的方法,也就是将单晶硅圆片在化学气相沉积(CVD)设备中,加热到大约1050～1150℃,通人甲硅烷(S1H4)之类的分子中含有硅的气体,甲硅烷

碳化硅,SIC,单晶硅外延生长,石墨基座,山东禹王

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