半导体栅氧厚度_半浮栅晶体管

【主权项】:一种单一厚度栅氧层实现多级工作电压的后栅极工艺半导体器件,其特征在于,包括:采用后栅极制备工艺的该半导体器件至少包括形成衬底上的若干第一类晶体管,以

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