【摘要】:本文报道用分子束外延设备研制梯度折射率分别限制式单量子阱AlGaAs/GaAs脊形波导半导体激光器。该激光器具有良好的性能,条宽5μm器件室温阈值电流23mA,线
131渭m+GaInNAs婵鍏夊櫒镄勮璁′笌鍒朵綔研
800x1168 - 39KB - PNG
转换半导体激光器的波长面临挑战-百科大全-就
471x278 - 18KB - JPEG
光波导基本结构 - 技术方案 - 服务支持_华强电
600x255 - 66KB - GIF
萨科技上市采用新构造的蓝紫色半导体激光器二
520x390 - 60KB - JPEG
半环形腔主振光放大器技术研讨.pdf
800x1168 - 39KB - PNG
(a)半导体激光器结构示意图及典型远场图,(b)布
500x208 - 43KB - JPEG
《半导体激光器波导模式理论(上册)》
400x400 - 13KB - JPEG
B2900A在半导体激光器测试中的应用
546x240 - 37KB - JPEG
数字源表B2900A在半导体激光器测试中的应用
600x262 - 35KB - JPEG
【图】半导体激光器波导模式理论_价格:178.0
600x877 - 48KB - JPEG
【图】半导体激光器激光波导模式理论_价格:1
704x800 - 49KB - JPEG
半导体激光器激光波导模式理论(下册)
200x200 - 9KB - JPEG
3μm+GaInNAs量子阱脊型波导半导体激光器的
800x1168 - 48KB - PNG
垂直腔面发射半导体激光器电、热和光波导特性
800x1172 - 311KB - PNG
【半导体激光器波导模式理论(上册)图片】高清
800x800 - 60KB - JPEG