第九届mocvd论文_15届mocvd

自1989年召开第一届全国mocvd会议至今已过了16个年头,几经循环,第九届全国mocvd 本届会议较前几届会议不仅规模大得多,而且投寄的论文数也为历届之最,包括企业报告

MOCVD生长氮化镓的KMC微观模拟-电子科学

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MOCVD法可控生长磷掺杂ZnO量子点及其性能

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MOCVD法制备氧化铝薄膜及其阻变特性-电路

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MgZnO薄膜材料的MOCVD法生长、退火及其发

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六方相GaN的MOCVD外延生长-凝聚态物理专

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MOCVD技术沉积镍、铁膜的设备及工艺研究-

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【图】第十届全国MOCVD学术会议论文集(大

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第十届全国MOCVD学术会议论文集(大16开)-图

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MOCVD生长Ⅲ族氮化物的热扩散和气相反应速

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AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究.pdf

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基于MOCVD-ZnO的电极研究及在硅薄膜太阳电

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MOCVD系统在GaAs太阳电池中的应用研究-集

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短周期AlGaAs\/GaAs超晶格的MOCVD生长和调

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用于紫外光电器件高质量AlN模板的MOCVD生

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MOCVD技术与GaN材料外延工艺-集成电路工

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